用語集　　メモリって専門用語が多いですね これでも一部です

FPM　DRAM　(ファーストページモード　ディーラム)　701用は72ピン　写真
　DRAMのページモードを高速化したものがFPM　DRAMですが 既に昔の仕様となってしまいました。
　ThinkPadでは701等で使用されています　

EDO DRAM（エド　ディーラム） ノート用は144ピン　写真　
　FPM　DRAM　を高速化した物ですがその後に出た更に高速なSDRAMにバトンタッチしています
　セルフリフレッシュやノーマルリフレッシュなど仕様があり
　相性も激しいメモリです　特に560Ｘ　560Ｚ　535Ｘでは動作しないEDOが存在しますので注意が必要です
　
SDRAM　(エスディーラム）シンクロナスディーラム　ノート用は144ピン　写真
  DRAMとは異なる仕様になりDRAMより高速な動作を可能としています　
　特に256Ｍはメモリの構成で相性がありますので注意願います
　ベースクロック周波数はPC-66　PC-100　PC-133　等です

DDR SDRAM (ダブルデータレイトエスディーラム）ノート用は200ピン　　写真
 SDRAMをダブルにしたものです　主にペンティアム4　セレロン1.6Ｇ以上のマシンで使用されます
 ノート用は200ピン

S.O.DIMM(エスオーディム)
  Small Outline Dual-in-line Memory Module の略で
　ノートPC用のメモリモジュールの規格。現在は主に144ピン（SDRAM）、200ピン（DDR）です。

オンボード
　パソコンのシステムボードに最初から実装されていること
　メモリの場合は最初からハンダ付けされており取外しは不可です。
　例えばThinkPad600(2645-4LJ）は32Ｍがオンボードで空きスロットが2個です
　当店の最大値は空きスロットにV133-A256Mを2個挿し256+256+32=544Ｍです

　比較的大きなマシン（A、T、R）は2個空きスロットがあり　オンボードメモリはありません
　小型のマシンは（Ｘ20、X30、240、Ｓ30、X40等）は小型にする為1個しか空きスロットがありません
　その替わりにオンボードで64Ｍや128Ｍ、256Mがハンダ付けされています。

　またThinkPadＡ、Ｔ、Ｒ、X31は空きスロットに何かメモリを挿さないとトータルメモリが0なので起動しません

キャスレイテンシー（CL）（Column Address Strobe Latency)
 CPUなどから出される入力信号”CAS”が、DRAMへ送られます。そしてデータ処理後
 DRAM側が送り返します。そして、そのデータが読み出し可能となります。

 ここまでの処理にかかる遅延時間をキャスレイテンシーといいます。

 たとえばCL2は、2クロック後に、CL3は3クロック後にDRAMがデータ転送を行います。
 ですので、このCLの値が小さいほど高速処理ができます。

ベースクロック周波数
 　CPUは、オン/オフを繰り返す一定の周波数を持つ信号に合 わせて処理を行います。
　この信号は水晶発振器によって出されるクロックによって作られます。

 　このクロックの間隔が短いほど、それだけ短時間に多くの処理を行えるので、
 　コンピューターとしての処理動作が高速になります。

 　オン/オフのクロック周波数が高いほど、
　クロックの間隔を短くすることができ、コンピューターの高速処理が可能になります。
 　コンピューターとしてのベースとなるクロックの周波数をベースクロック周波数といいます。

パリティー
 メモリー上でデータ処理が正しく行われているかをチェックする機能です。この
 チェック機能を持たせるためにメモリー上に、チップを追加して付加的な領域を作り
　ます。たとえば、168ピンDIMMの場合、128MB片面実装ならば、通常128Mbチップが8個ですが、
　パリティーありの場合は9個に、256MBの両面実装ならば、通常128Mbチップが
　両面16個のところを18個にします。

　最近は、コンピューター自体の性能が向上したため、メモリーにこのエラー
　チェック機能を持たせる必要性が薄れ、「パリティーなし」が一般的です。しかし、
　メモリーの信頼性が求められるサーバーや、一部のパソコンでのマザーボードでは
　「パリティーあり」をサポートしています。

バッファ（Buffer)
　CPUのデータ処理を高速に行うために、データを一時的に保存しておくメモリー領域を
　作ります。これをバッファといいます。このバッファ領域のおかげで、CPUは、データ処理したものをこの領域に
　保存して、次の処理を行えるので、全体としての処理速度が増します。

　通常のパソコン用メモリーでは、「バッファなし」（Unbuffered  DIMM )が一般的で
　すが、高速処理が必要なサーバーメモリーは、「バッファあり」(Buffered DIMM) が使用されます。

アクセス方式 　
　CPUがメモリーとの間でデータ処理を行う際の方式です。
　メモリーでこのデータ処理を行うのは基板に乗っているチップですので、このアクセス方式は、
　ファーストページ、EDO,、SDRAM、DDR、RDRAM（ランバス）などがあります。

アクセススピード
　CPUがメモリーなどとの間でデータ処理を行うのにかかる時間を言います。

リフレッシュ　　
　フラッシュメモリーと違い、DRAMはある一定の時間が経過すると、蓄えたデータを消失します。
　これはDRAMに蓄え　た電荷が無くなるからです。
　従ってデータの消失を防ぐため定期的に電荷を再補充す　ることが必要になります。
　これをリフレッシュといいます。
　セルフリフレッシュやオートリフレッシュ機能を持つチップは、この電荷再補充　作業を自動的に行います。

エラーチェック
　「パリティー」を参照